固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如，因此设计简单？如果是电容式的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并为负载提供直流电源。支持隔离以保护系统运行，涵盖白色家电、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，